0 0 0
  8. DMN2011UFDF-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN2011UFDF-7

 
DMN2011UFDF-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660068
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 11,4А; Idm: 80А; 1,3Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.24 грн
10+
15.28 грн
30+
13.46 грн
79+
12.91 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
U-DFN2020-6(1628271)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
11,4А(1492281)
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм(1441501)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,3Вт(1449369)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
56нC(1479440)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN2011UFDF-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660068
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 11,4А; Idm: 80А; 1,3Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.24 грн
10+
15.28 грн
30+
13.46 грн
79+
12.91 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
U-DFN2020-6
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
11,4А
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
56нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g