0 0 0
  8. DMN2016UTS-13

Транзисторы с каналом N SMD DMN2016UTS-13

 
DMN2016UTS-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659727
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,73А; Idm: 36А; 880мВт; TSSOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
34.35 грн
10+
27.40 грн
58+
17.36 грн
159+
16.42 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSSOP8(1443829)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
5,73А(1942233)
Сопротивление в открытом состоянии
16,5мОм(1479363)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,88Вт(1918359)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
16,5нC(1609963)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
36А(1742465)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN2016UTS-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659727
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,73А; Idm: 36А; 880мВт; TSSOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
34.35 грн
10+
27.40 грн
58+
17.36 грн
159+
16.42 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
TSSOP8
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
5,73А
Сопротивление в открытом состоянии
16,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,88Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
16,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
36А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g