0 0 0
  8. DMN2019UTS-13

Транзисторы с каналом N SMD DMN2019UTS-13

 
DMN2019UTS-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660202
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,3А; Idm: 30А; 780мВт; TSSOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.27 грн
10+
14.11 грн
30+
12.45 грн
84+
11.75 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSSOP8(1443829)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
4,3А(1441593)
Сопротивление в открытом состоянии
31мОм(1479141)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,78Вт(1742049)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8,8нC(1636391)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
30А(1741680)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN2019UTS-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660202
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,3А; Idm: 30А; 780мВт; TSSOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.27 грн
10+
14.11 грн
30+
12.45 грн
84+
11.75 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
TSSOP8
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
4,3А
Сопротивление в открытом состоянии
31мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,78Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8,8нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
30А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g