0 0 0
  8. DMN2020LSN-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN2020LSN-7

 
DMN2020LSN-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401833
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 30А; 0,61Вт; SC59
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.38 грн
25+
10.12 грн
100+
9.00 грн
125+
8.12 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 255 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC59(1596294)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
4,5А(1441265)
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм(1441284)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,61Вт(1810757)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
30А(1741680)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,027 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN2020LSN-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401833
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 30А; 0,61Вт; SC59
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.38 грн
25+
10.12 грн
100+
9.00 грн
125+
8.12 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 255 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SC59
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
4,5А
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,61Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
30А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,027 g