0 0 0
  8. DMN2022UFDF-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN2022UFDF-7

 
DMN2022UFDF-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075938
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,2А; 0,42Вт; U-DFN2020-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.43 грн
25+
9.37 грн
100+
8.33 грн
135+
7.54 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
U-DFN2020-6(1628271)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
5,2А(1441595)
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм(1441532)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,42Вт(1742065)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN2022UFDF-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075938
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,2А; 0,42Вт; U-DFN2020-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.43 грн
25+
9.37 грн
100+
8.33 грн
135+
7.54 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
U-DFN2020-6
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
5,2А
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,42Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g