0 0 0
  8. DMN21D2UFB-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN21D2UFB-7

 
DMN21D2UFB-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659905
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 700мА; Idm: 1А; 570мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.36 грн
50+
5.98 грн
200+
5.00 грн
550+
4.73 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X1-DFN1006-3(1705809)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
0,7А(1632946)
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом(1441400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
570мВт(1742075)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
930пC(1884174)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1А(1709878)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN21D2UFB-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659905
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 700мА; Idm: 1А; 570мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.36 грн
50+
5.98 грн
200+
5.00 грн
550+
4.73 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X1-DFN1006-3
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
0,7А
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
570мВт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
930пC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g