0 0 0
  8. DMN2300UFB4-7B

Транзисторы с каналом N SMD DMN2300UFB4-7B

 
DMN2300UFB4-7B
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075948
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,96А; 0,5Вт; X1-DFN1006-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
21.30 грн
10+
16.17 грн
20+
13.13 грн
50+
9.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X1-DFN1006-3(1705809)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
0,96А(1635015)
Сопротивление в открытом состоянии
0,5Ом(1492338)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,5Вт(1507575)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN2300UFB4-7B
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075948
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,96А; 0,5Вт; X1-DFN1006-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
21.30 грн
10+
16.17 грн
20+
13.13 грн
50+
9.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X1-DFN1006-3
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
0,96А
Сопротивление в открытом состоянии
0,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g