0 0 0
  8. DMN2310UWQ-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN2310UWQ-7

 
DMN2310UWQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659393
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,1А; Idm: 4,4А; 550мВт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.99 грн
50+
4.17 грн
250+
3.70 грн
300+
3.40 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323(1492062)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
1,1А(1492262)
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом(1638675)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
0,55Вт(1701902)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,7нC(1632950)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
4,4А(1801423)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN2310UWQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659393
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,1А; Idm: 4,4А; 550мВт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.99 грн
50+
4.17 грн
250+
3.70 грн
300+
3.40 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
1,1А
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
0,55Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,7нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
4,4А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g