0 0 0
  8. DMN2400UFB-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN2400UFB-7

 
DMN2400UFB-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659967
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 550мА; Idm: 3А; 470мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.36 грн
50+
5.23 грн
250+
4.02 грн
680+
3.80 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X1-DFN1006-3(1705809)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
0,55А(1702210)
Сопротивление в открытом состоянии
0,9Ом(1492457)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,47Вт(1741781)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,5нC(1642908)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
3А(1709877)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN2400UFB-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659967
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 550мА; Idm: 3А; 470мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.36 грн
50+
5.23 грн
250+
4.02 грн
680+
3.80 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X1-DFN1006-3
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
0,55А
Сопротивление в открытом состоянии
0,9Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,47Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
3А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g