0 0 0
  8. DMN2450UFB4-7R

Транзисторы с каналом N SMD DMN2450UFB4-7R

 
DMN2450UFB4-7R
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660020
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 800мА; Idm: 3А; 900мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
4.07 грн
100+
3.64 грн
360+
2.92 грн
940+
2.76 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  20
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X2-DFN1006-3(1810710)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
0,8А(1635013)
Сопротивление в открытом состоянии
0,7Ом(1492263)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,9Вт(1742026)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
1,3нC(1512595)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
3А(1709877)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN2450UFB4-7R
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660020
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 800мА; Idm: 3А; 900мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
4.07 грн
100+
3.64 грн
360+
2.92 грн
940+
2.76 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  20
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X2-DFN1006-3
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
0,8А
Сопротивление в открытом состоянии
0,7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,9Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
1,3нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
3А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g