0 0 0
  8. DMN24H11DSQ-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN24H11DSQ-7

 
DMN24H11DSQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659670
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 220мА; Idm: 0,8А; 1,2Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.27 грн
10+
16.49 грн
30+
14.59 грн
72+
13.77 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
240В(1492264)
Ток стока
0,22А(1632940)
Сопротивление в открытом состоянии
12Ом(1536801)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
1,2Вт(1449368)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
3,7нC(1714174)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,8А(1741653)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN24H11DSQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659670
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 220мА; Idm: 0,8А; 1,2Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.27 грн
10+
16.49 грн
30+
14.59 грн
72+
13.77 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
240В
Ток стока
0,22А
Сопротивление в открытом состоянии
12Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
1,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
3,7нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g