0 0 0
  8. DMN2600UFB-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN2600UFB-7

 
DMN2600UFB-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659974
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 900мА; Idm: 3А; 540мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.12 грн
50+
4.45 грн
250+
3.93 грн
280+
3.62 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X1-DFN1006-3(1705809)
Напряжение сток-исток
25В(1441346)
Ток стока
0,9А(1633430)
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,54Вт(1741901)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,85нC(1775128)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
3А(1709877)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN2600UFB-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659974
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 900мА; Idm: 3А; 540мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.12 грн
50+
4.45 грн
250+
3.93 грн
280+
3.62 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X1-DFN1006-3
Напряжение сток-исток
25В
Ток стока
0,9А
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,54Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,85нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
3А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g