0 0 0
  8. DMN26D0UT-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN26D0UT-7

 
DMN26D0UT-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075951
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,23А; 0,3Вт; SOT523
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.89 грн
100+
3.74 грн
340+
2.85 грн
930+
2.70 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Колличество: 460 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT523(1611438)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
0,23А(1643336)
Сопротивление в открытом состоянии
15Ом(1459386)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,3Вт(1507578)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN26D0UT-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075951
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,23А; 0,3Вт; SOT523
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.89 грн
100+
3.74 грн
340+
2.85 грн
930+
2.70 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Колличество: 460 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT523
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
0,23А
Сопротивление в открытом состоянии
15Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g