0 0 0
  8. DMN2990UFA-7B

Транзисторы с каналом N SMD DMN2990UFA-7B

 
DMN2990UFA-7B
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075953
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,33А; 0,4Вт; X2-DFN0806-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.61 грн
25+
11.11 грн
100+
9.84 грн
114+
8.89 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X2-DFN0806-3(1740065)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
0,33А(1740002)
Сопротивление в открытом состоянии
2,4Ом(1441594)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,4Вт(1507572)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN2990UFA-7B
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075953
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,33А; 0,4Вт; X2-DFN0806-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.61 грн
25+
11.11 грн
100+
9.84 грн
114+
8.89 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X2-DFN0806-3
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
0,33А
Сопротивление в открытом состоянии
2,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g