0 0 0
  8. DMN3009SFG-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN3009SFG-7

 
DMN3009SFG-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660123
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13А; Idm: 80А; 1,4Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.80 грн
5+
34.05 грн
25+
30.48 грн
40+
25.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerDI3333-8(1942490)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
13А(1441372)
Сопротивление в открытом состоянии
9мОм(1479207)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,4Вт(1449373)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
42нC(1478958)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN3009SFG-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660123
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13А; Idm: 80А; 1,4Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.80 грн
5+
34.05 грн
25+
30.48 грн
40+
25.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
PowerDI3333-8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
13А
Сопротивление в открытом состоянии
9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
42нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g