0 0 0
  8. DMN3009SSS-13

Транзисторы с каналом N SMD DMN3009SSS-13

 
DMN3009SSS-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659834
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12А; Idm: 80А; 1,8Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.38 грн
5+
25.40 грн
25+
22.80 грн
53+
19.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
12А(1441370)
Сопротивление в открытом состоянии
7,5мОм(1441297)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,8Вт(1449543)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
42нC(1478958)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN3009SSS-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659834
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12А; Idm: 80А; 1,8Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.38 грн
5+
25.40 грн
25+
22.80 грн
53+
19.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
12А
Сопротивление в открытом состоянии
7,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
42нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g