Транзисторы с каналом N SMD DMN3016LDN-7

 
DMN3016LDN-7
 
Артикул: 660218
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,3А; Idm: 45А; 1,6Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.27 грн
10+
18.39 грн
30+
16.17 грн
65+
15.30 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
V-DFN3030-8(1942498)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
7,3А(1479166)
Сопротивление в открытом состоянии
24мОм(1441281)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
25,1нC(1918366)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
45А(1742464)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN3016LDN-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660218
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,3А; Idm: 45А; 1,6Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.27 грн
10+
18.39 грн
30+
16.17 грн
65+
15.30 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
V-DFN3030-8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
7,3А
Сопротивление в открытом состоянии
24мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
25,1нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
45А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g