0 0 0
  8. DMN3016LSS-13

Транзисторы с каналом N SMD DMN3016LSS-13

 
DMN3016LSS-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660173
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9,5А; Idm: 80А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
20.82 грн
10+
19.48 грн
30+
17.18 грн
62+
16.44 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
9,5А(1479197)
Сопротивление в открытом состоянии
16мОм(1479178)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
25,1нC(1918366)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN3016LSS-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660173
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9,5А; Idm: 80А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
20.82 грн
10+
19.48 грн
30+
17.18 грн
62+
16.44 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
9,5А
Сопротивление в открытом состоянии
16мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
25,1нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g