0 0 0
  7. DMN3018SSD-13

Транзисторы многоканальные DMN3018SSD-13

 
DMN3018SSD-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000199
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 5,2А; 1,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.76 грн
25+
20.67 грн
61+
15.77 грн
168+
14.92 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 865 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
5,2А(1441595)
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм(1441278)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
1,5Вт(1487290)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,102 g
 
Транзисторы многоканальные DMN3018SSD-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000199
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 5,2А; 1,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.76 грн
25+
20.67 грн
61+
15.77 грн
168+
14.92 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 865 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
5,2А
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
1,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,102 g