0 0 0
  8. DMN3025LSS-13

Транзисторы с каналом N SMD DMN3025LSS-13

 
DMN3025LSS-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659998
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,7А; Idm: 40А; 1,1Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.03 грн
10+
11.97 грн
30+
10.62 грн
99+
10.01 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
7,7А(1492360)
Сопротивление в открытом состоянии
31мОм(1479141)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,1Вт(1449376)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
13,2нC(1609924)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
40А(1748037)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN3025LSS-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659998
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,7А; Idm: 40А; 1,1Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.03 грн
10+
11.97 грн
30+
10.62 грн
99+
10.01 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
7,7А
Сопротивление в открытом состоянии
31мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
13,2нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g