0 0 0
  8. DMN3055LFDB-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN3055LFDB-7

 
DMN3055LFDB-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660158
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; Idm: 25А; 870мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.03 грн
10+
15.07 грн
30+
13.32 грн
79+
12.55 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
U-DFN2020-6(1628271)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
4А(1441365)
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм(1479133)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,87Вт(1742071)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
11,2нC(1619504)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
25А(1742151)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN3055LFDB-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660158
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; Idm: 25А; 870мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.03 грн
10+
15.07 грн
30+
13.32 грн
79+
12.55 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
U-DFN2020-6
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
4А
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,87Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
11,2нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
25А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g