0 0 0
  8. DMN3067LW-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN3067LW-7

 
DMN3067LW-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401835
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,1А; Idm: 10А; 0,5Вт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
14.29 грн
25+
7.78 грн
100+
6.83 грн
170+
5.98 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 160 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323(1492062)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
2,1А(1479110)
Сопротивление в открытом состоянии
67мОм(1600697)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,5Вт(1507575)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
10А(1785364)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN3067LW-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401835
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,1А; Idm: 10А; 0,5Вт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
14.29 грн
25+
7.78 грн
100+
6.83 грн
170+
5.98 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 160 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
2,1А
Сопротивление в открытом состоянии
67мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
10А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g