0 0 0
  8. DMN3070SSN-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN3070SSN-7

 
DMN3070SSN-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075961
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,3А; 0,5Вт; SC59
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.33 грн
25+
8.26 грн
100+
7.32 грн
155+
6.53 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC59(1596294)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
4,3А(1441593)
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм(1441532)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,5Вт(1507575)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN3070SSN-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075961
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,3А; 0,5Вт; SC59
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.33 грн
25+
8.26 грн
100+
7.32 грн
155+
6.53 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SC59
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
4,3А
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g