0 0 0
  8. DMN30H4D0L-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN30H4D0L-7

 
DMN30H4D0L-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660335
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 200мА; Idm: 2А; 470мВт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.03 грн
10+
18.16 грн
30+
16.02 грн
66+
15.11 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
300В(1441556)
Ток стока
0,2А(1644064)
Сопротивление в открытом состоянии
6Ом(1441534)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,47Вт(1741781)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
7,6нC(1479410)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
2А(1709875)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN30H4D0L-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660335
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 200мА; Idm: 2А; 470мВт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.03 грн
10+
18.16 грн
30+
16.02 грн
66+
15.11 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
300В
Ток стока
0,2А
Сопротивление в открытом состоянии
6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,47Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
7,6нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g