0 0 0
  8. DMN3135LVTQ-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN3135LVTQ-7

 
DMN3135LVTQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659995
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,3А; Idm: 25А; 1,27Вт; TSOT26
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.27 грн
10+
18.39 грн
30+
16.17 грн
65+
15.30 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOT26(1605071)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
3,3А(1492298)
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
1,27Вт(1942230)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
9нC(1609896)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
25А(1742151)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN3135LVTQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659995
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,3А; Idm: 25А; 1,27Вт; TSOT26
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.27 грн
10+
18.39 грн
30+
16.17 грн
65+
15.30 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
TSOT26
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
3,3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
1,27Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
9нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
25А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g