0 0 0
  8. DMN313DLT-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN313DLT-7

 
DMN313DLT-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660176
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300мА; Idm: 1,2А; 520мВт; SOT523
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.71 грн
50+
3.76 грн
250+
3.31 грн
320+
3.11 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT523(1611438)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
0,3А(1644067)
Сопротивление в открытом состоянии
3,2Ом(1512592)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,52Вт(1810759)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,5нC(1642908)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1,2А(1709882)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN313DLT-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660176
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300мА; Idm: 1,2А; 520мВт; SOT523
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.71 грн
50+
3.76 грн
250+
3.31 грн
320+
3.11 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT523
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
0,3А
Сопротивление в открытом состоянии
3,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,52Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1,2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g