0 0 0
  8. DMN3150LW-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN3150LW-7

 
DMN3150LW-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659379
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 28В; 1,2А; Idm: 6,4А; 350мВт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.27 грн
10+
13.88 грн
30+
12.29 грн
86+
11.54 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323(1492062)
Напряжение сток-исток
28В(1492561)
Ток стока
1,2А(1479094)
Сопротивление в открытом состоянии
138мОм(1636960)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,35Вт(1701891)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
6,4А(1942255)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN3150LW-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659379
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 28В; 1,2А; Idm: 6,4А; 350мВт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.27 грн
10+
13.88 грн
30+
12.29 грн
86+
11.54 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323
Напряжение сток-исток
28В
Ток стока
1,2А
Сопротивление в открытом состоянии
138мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,35Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
6,4А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g