0 0 0
  7. DMN3190LDW-7

Транзисторы многоканальные DMN3190LDW-7

 
DMN3190LDW-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401838
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,9А; Idm: 9,6А; 0,32Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.40 грн
25+
6.67 грн
100+
5.96 грн
190+
5.25 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
0,9А(1633430)
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,32Вт(1742060)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
9,6А(1759124)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,012 g
 
Транзисторы многоканальные DMN3190LDW-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401838
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,9А; Idm: 9,6А; 0,32Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.40 грн
25+
6.67 грн
100+
5.96 грн
190+
5.25 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
0,9А
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,32Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
9,6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,012 g