0 0 0
  8. DMN31D5UFO-7B

Транзисторы с каналом N SMD DMN31D5UFO-7B

 
DMN31D5UFO-7B
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 562612
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,32А; Idm: 0,7А; 0,38Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
4.43 грн
100+
3.41 грн
400+
2.58 грн
1060+
2.44 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  20
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X2-DFN0604-3(1918370)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
0,32А(1645010)
Сопротивление в открытом состоянии
4,5Ом(1492423)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,38Вт(1742055)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,38нC(1918369)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,7А(1709867)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN31D5UFO-7B
DIODES INCORPORATED
Артикул: 562612
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,32А; Idm: 0,7А; 0,38Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
4.43 грн
100+
3.41 грн
400+
2.58 грн
1060+
2.44 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  20
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X2-DFN0604-3
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
0,32А
Сопротивление в открытом состоянии
4,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,38Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,38нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,7А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g