Транзисторы с каналом N SMD DMN31D6UT-7

 
DMN31D6UT-7
 
Артикул: 660243
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 350мА; Idm: 0,8А; 320мВт; SOT523
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.86 грн
50+
3.98 грн
250+
3.51 грн
300+
3.29 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT523(1611438)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
0,35А(1633294)
Сопротивление в открытом состоянии
2Ом(1441392)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,32Вт(1742060)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,35нC(1642939)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,8А(1741653)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN31D6UT-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660243
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 350мА; Idm: 0,8А; 320мВт; SOT523
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.86 грн
50+
3.98 грн
250+
3.51 грн
300+
3.29 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT523
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
0,35А
Сопротивление в открытом состоянии
2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,32Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,35нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g