0 0 0
  7. DMN32D2LDF-7

Транзисторы многоканальные DMN32D2LDF-7

 
DMN32D2LDF-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 562614
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 400мА; 280мВт; SOT353
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.62 грн
25+
7.54 грн
100+
6.01 грн
195+
5.30 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT353(1494676)
Конструкция диода
общий источник(1694449)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
0,4А(1702147)
Сопротивление в открытом состоянии
2,2Ом(1441396)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,28Вт(1742034)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g
 
Транзисторы многоканальные DMN32D2LDF-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 562614
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 400мА; 280мВт; SOT353
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.62 грн
25+
7.54 грн
100+
6.01 грн
195+
5.30 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT353
Конструкция диода
общий источник
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
0,4А
Сопротивление в открытом состоянии
2,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,28Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g