Транзисторы с каналом N SMD DMN32D2LFB4-7

 
DMN32D2LFB4-7
 
Артикул: 659959
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300мА; 350мВт; X2-DFN1006-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
21.56 грн
100+
10.62 грн
105+
9.54 грн
289+
9.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X2-DFN1006-3(1810710)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
0,3А(1644067)
Сопротивление в открытом состоянии
2,2Ом(1441396)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,35Вт(1701891)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN32D2LFB4-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659959
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300мА; 350мВт; X2-DFN1006-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
21.56 грн
100+
10.62 грн
105+
9.54 грн
289+
9.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X2-DFN1006-3
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
0,3А
Сопротивление в открытом состоянии
2,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,35Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g