0 0 0
  8. DMN3730U-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN3730U-7

 
DMN3730U-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401839
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,75А; Idm: 10А; 0,45Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.86 грн
25+
8.92 грн
100+
7.81 грн
135+
7.40 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 1504 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
0,75А(1632949)
Сопротивление в открытом состоянии
0,46Ом(1758480)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,45Вт(1741765)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
10А(1785364)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN3730U-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401839
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,75А; Idm: 10А; 0,45Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.86 грн
25+
8.92 грн
100+
7.81 грн
135+
7.40 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 1504 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
0,75А
Сопротивление в открытом состоянии
0,46Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,45Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
10А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g