0 0 0
  8. DMN4800LSSQ-13

Транзисторы с каналом N SMD DMN4800LSSQ-13

 
DMN4800LSSQ-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660411
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9А; Idm: 50А; 1Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.03 грн
10+
17.68 грн
30+
15.62 грн
67+
14.77 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
9А(1441543)
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм(1441284)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8,7нC(1479416)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
50А(1758516)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN4800LSSQ-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660411
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9А; Idm: 50А; 1Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.03 грн
10+
17.68 грн
30+
15.62 грн
67+
14.77 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
9А
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8,7нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g