0 0 0
  7. DMN53D0LDW-7

Транзисторы многоканальные DMN53D0LDW-7

 
DMN53D0LDW-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000201
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.44 грн
25+
5.16 грн
100+
4.65 грн
250+
3.87 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2400 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напряжение сток-исток
50В(1441356)
Ток стока
0,25А(1702094)
Сопротивление в открытом состоянии
2,5Ом(1441402)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,31Вт(1742047)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,014 g
 
Транзисторы многоканальные DMN53D0LDW-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000201
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.44 грн
25+
5.16 грн
100+
4.65 грн
250+
3.87 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2400 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напряжение сток-исток
50В
Ток стока
0,25А
Сопротивление в открытом состоянии
2,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,31Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,014 g