0 0 0
  7. DMN53D0LDWQ-7

Транзисторы многоканальные DMN53D0LDWQ-7

 
DMN53D0LDWQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 562615
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0,37А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT363
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.31 грн
25+
9.01 грн
100+
7.17 грн
150+
6.77 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напряжение сток-исток
50В(1441356)
Ток стока
0,37А(1634147)
Сопротивление в открытом состоянии
4,5Ом(1492423)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
0,4Вт(1507572)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
1,4нC(1632948)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1А(1709878)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы многоканальные DMN53D0LDWQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 562615
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0,37А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT363
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.31 грн
25+
9.01 грн
100+
7.17 грн
150+
6.77 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напряжение сток-исток
50В
Ток стока
0,37А
Сопротивление в открытом состоянии
4,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
0,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
1,4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g