0 0 0
  8. DMN53D0LQ-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN53D0LQ-7

 
DMN53D0LQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075968
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,2А; 0,37Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.76 грн
25+
5.33 грн
100+
4.79 грн
260+
3.84 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 425 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
50В(1441356)
Ток стока
0,2А(1644064)
Сопротивление в открытом состоянии
2,5Ом(1441402)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
0,37Вт(1742045)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,013 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN53D0LQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075968
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,2А; 0,37Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.76 грн
25+
5.33 грн
100+
4.79 грн
260+
3.84 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 425 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
50В
Ток стока
0,2А
Сопротивление в открытом состоянии
2,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
0,37Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,013 g