0 0 0
  8. DMN53D0U-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN53D0U-7

 
DMN53D0U-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401841
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,3А; Idm: 0,5А; 0,52Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
18.55 грн
10+
13.06 грн
100+
6.12 грн
500+
3.88 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
50В(1441356)
Ток стока
0,3А(1644067)
Сопротивление в открытом состоянии
2Ом(1441392)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,52Вт(1810759)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,5А(1709865)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN53D0U-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401841
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,3А; Idm: 0,5А; 0,52Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
18.55 грн
10+
13.06 грн
100+
6.12 грн
500+
3.88 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
50В
Ток стока
0,3А
Сопротивление в открытом состоянии
2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,52Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,5А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g