0 0 0
  8. DMN55D0UT-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN55D0UT-7

 
DMN55D0UT-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075969
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,16А; 0,2Вт; SOT523
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.99 грн
100+
4.29 грн
300+
3.30 грн
820+
3.12 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT523(1611438)
Напряжение сток-исток
50В(1441356)
Ток стока
0,16А(1702151)
Сопротивление в открытом состоянии
5Ом(1441408)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,2Вт(1507579)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,011 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN55D0UT-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075969
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,16А; 0,2Вт; SOT523
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.99 грн
100+
4.29 грн
300+
3.30 грн
820+
3.12 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT523
Напряжение сток-исток
50В
Ток стока
0,16А
Сопротивление в открытом состоянии
5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,011 g