0 0 0
  8. DMN55D0UTQ-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN55D0UTQ-7

 
DMN55D0UTQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 562616
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 160мА; Idm: 560А; 200мВт; SOT523
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.75 грн
50+
5.69 грн
230+
4.36 грн
630+
4.12 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT523(1611438)
Напряжение сток-исток
50В(1441356)
Ток стока
0,16А(1702151)
Сопротивление в открытом состоянии
5Ом(1441408)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
0,2Вт(1507579)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
295нC(1918348)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
560А(1714532)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN55D0UTQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 562616
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 160мА; Idm: 560А; 200мВт; SOT523
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.75 грн
50+
5.69 грн
230+
4.36 грн
630+
4.12 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT523
Напряжение сток-исток
50В
Ток стока
0,16А
Сопротивление в открытом состоянии
5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
0,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
295нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
560А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g