0 0 0
  7. DMN5L06DWK-7

Транзисторы многоканальные DMN5L06DWK-7

 
DMN5L06DWK-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401842
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0,305А; Idm: 0,8А; 0,25Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
18.21 грн
10+
11.80 грн
25+
10.45 грн
100+
9.34 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напряжение сток-исток
50В(1441356)
Ток стока
0,305А(1810764)
Сопротивление в открытом состоянии
2Ом(1441392)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,25Вт(1701903)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,8А(1741653)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные DMN5L06DWK-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401842
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0,305А; Idm: 0,8А; 0,25Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
18.21 грн
10+
11.80 грн
25+
10.45 грн
100+
9.34 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напряжение сток-исток
50В
Ток стока
0,305А
Сопротивление в открытом состоянии
2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g