0 0 0
  8. DMN601K-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN601K-7

 
DMN601K-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659688
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 0,8А; 350мВт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
2.38 грн
100+
1.88 грн
500+
1.66 грн
675+
1.46 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  25
Колличество: 1200 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,3А(1644067)
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом(1441400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,35Вт(1701891)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,8А(1741653)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,02 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN601K-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659688
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 0,8А; 350мВт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
2.38 грн
100+
1.88 грн
500+
1.66 грн
675+
1.46 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  25
Колличество: 1200 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,3А
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,35Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,02 g