0 0 0
  8. DMN601WK-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN601WK-7

 
DMN601WK-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075971
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 0,8А; 0,2Вт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.43 грн
25+
4.80 грн
100+
4.32 грн
295+
3.47 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323(1492062)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,3А(1644067)
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом(1441400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,2Вт(1507579)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,8А(1741653)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN601WK-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075971
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 0,8А; 0,2Вт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.43 грн
25+
4.80 грн
100+
4.32 грн
295+
3.47 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,3А
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g