0 0 0
  8. DMN6140LQ-13

Транзисторы с каналом N SMD DMN6140LQ-13

 
DMN6140LQ-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 562617
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.98 грн
25+
10.12 грн
100+
8.04 грн
140+
7.07 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 7915 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23-3(1443554)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
1,2А(1479094)
Сопротивление в открытом состоянии
0,17Ом(1492503)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
0,4Вт(1507572)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8,6нC(1712469)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
10А(1785364)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,021 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN6140LQ-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 562617
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.98 грн
25+
10.12 грн
100+
8.04 грн
140+
7.07 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 7915 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23-3
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
1,2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,17Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
0,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8,6нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
10А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,021 g