0 0 0
  8. DMN62D0U-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN62D0U-7

 
DMN62D0U-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075976
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; 0,38Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.82 грн
100+
3.43 грн
362+
2.72 грн
995+
2.57 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  1
Колличество: 213 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,3А(1644067)
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом(1441400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,38Вт(1742055)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,02 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN62D0U-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075976
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; 0,38Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.82 грн
100+
3.43 грн
362+
2.72 грн
995+
2.57 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  1
Колличество: 213 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,3А
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,38Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,02 g