0 0 0
  7. DMN62D0UDW-7

Транзисторы многоканальные DMN62D0UDW-7

 
DMN62D0UDW-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401849
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,29А; 0,32Вт; SOT363
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.27 грн
25+
7.28 грн
100+
6.57 грн
195+
5.24 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2125 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,29А(1810763)
Сопротивление в открытом состоянии
2Ом(1441392)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,32Вт(1742060)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,012 g
 
Транзисторы многоканальные DMN62D0UDW-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401849
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,29А; 0,32Вт; SOT363
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.27 грн
25+
7.28 грн
100+
6.57 грн
195+
5.24 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2125 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,29А
Сопротивление в открытом состоянии
2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,32Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,012 g