0 0 0
  8. DMN62D0UWQ-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN62D0UWQ-7

 
DMN62D0UWQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659415
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 470мВт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.79 грн
50+
5.23 грн
230+
4.34 грн
630+
4.10 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323(1492062)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,3А(1644067)
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом(1441400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
0,47Вт(1741781)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,5нC(1642908)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1,2А(1709882)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN62D0UWQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659415
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 470мВт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.79 грн
50+
5.23 грн
230+
4.34 грн
630+
4.10 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,3А
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
0,47Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1,2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g