0 0 0
  8. DMN63D1LV-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN63D1LV-7

 
DMN63D1LV-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660269
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 450мА; Idm: 1,2А; 940мВт; SOT563
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.96 грн
50+
5.32 грн
230+
4.47 грн
620+
4.24 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,45А(1634146)
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом(1441400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,94Вт(1742341)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
392пC(1942278)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1,2А(1709882)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN63D1LV-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660269
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 450мА; Idm: 1,2А; 940мВт; SOT563
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.96 грн
50+
5.32 грн
230+
4.47 грн
620+
4.24 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,45А
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,94Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
392пC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1,2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g