0 0 0
  8. DMN63D1LW-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN63D1LW-7

 
DMN63D1LW-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660209
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 340мА; Idm: 1,2А; 410мВт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
3.93 грн
100+
3.29 грн
380+
2.79 грн
1000+
2.64 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  20
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323(1492062)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,34А(1636292)
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом(1441400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,41Вт(1701890)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
304пC(1942267)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1,2А(1709882)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN63D1LW-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660209
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 340мА; Idm: 1,2А; 410мВт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
3.93 грн
100+
3.29 грн
380+
2.79 грн
1000+
2.64 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  20
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,34А
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,41Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
304пC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1,2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g