0 0 0
  7. DMN63D8LDWQ-7

Транзисторы многоканальные DMN63D8LDWQ-7

 
DMN63D8LDWQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000206
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.47 грн
25+
4.34 грн
100+
3.81 грн
270+
3.54 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 6350 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
0,26А(1702157)
Сопротивление в открытом состоянии
2,8Ом(1441404)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,3Вт(1507578)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g
 
Транзисторы многоканальные DMN63D8LDWQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000206
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.47 грн
25+
4.34 грн
100+
3.81 грн
270+
3.54 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 6350 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
0,26А
Сопротивление в открытом состоянии
2,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g